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      IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
      
            
            
      
              
      IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開(kāi)通，并測(cè)量過(guò)程中各種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。
      
            
      
            
        
              
      • 產(chǎn)品型號(hào)：PT-1224
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      • 廠商性質(zhì)：代理商
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      • 更新時(shí)間：2025-06-12
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      • 訪  問(wèn)  量：2556
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      加熱范圍室溫～200℃測(cè)試電流0～2400A
      負(fù)載電感50uH100uH200uH500uH脈寬調(diào)制范圍5～400us
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      IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)


      主要作用
      1.測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù)； 
      2.評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能； 
      3.獲取 IGBT 在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適； 
      4.開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩； 
      5.評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量； 
      6.IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩； 
      7.評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性； 
      8.測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。
      9.可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開(kāi)發(fā)適配版。

      IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù)
      開(kāi)通參數(shù)
      關(guān)斷參數(shù)
      Frd 反向恢復(fù)參數(shù)
      開(kāi)通最大尖峰電流 Ic peak  max
      關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak  max
      最大反向恢復(fù)電流 IRM
      開(kāi)通時(shí)間 Ton
      關(guān)斷時(shí)間 Toff
      反向恢復(fù)損耗 Erec
      開(kāi)通延遲 Td-on
      關(guān)斷延遲 Td-off
      反向恢復(fù)時(shí)間 Trr
      開(kāi)通電壓變化率 dv/dt-on
      關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off
      反向恢復(fù)電荷 Qrr
      開(kāi)通電流變化率 di/dt-on
      關(guān)斷電流變化率 di/dt-off
      反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak
      開(kāi)通電壓下降時(shí)間 tf-v-on
      關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off
      前沿電流變化率 di/dt-r
      開(kāi)通電流上升時(shí)間 tr-i-on
      關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off
      后沿電流變化率 di/dt-f
      開(kāi)通損耗 Eon
      Ic 拖尾電流值 It
      反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr

      Ic 拖尾時(shí)間 Tt
      最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak

      關(guān)斷損耗 Eoff



       
      
        
      
        
      
          
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